集成电路CADA
学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 电子科技大学电子科技大学 2014 -20152014 -2015学年第学年第 一一 学期期学期期 末末 考试考试 A A 卷卷 课程名称: 集成电路 CAD考试形式:开卷考试日期:2014 年 11 月 24 日 考试时长: 120__分钟 课程成绩构成:平时10%, 期中%, 实验%, 期末90% 本试卷试题由_2_部分构成,共__5___页。 题号 得分 得 分 一、填空题(共 25 共 6,每空 1 分) 1、SOC 中文翻译为() ,DRC 中文翻译为() ,Semi-Custom Design Approach中文翻译为() 。 2、集成电路版图设计中图形匹配技术,对数字集成电路可以() ,对模拟集 成电路可以() 3、在SPICE 电路模拟软件中,集成电路中的电感,考虑了()和()对电感值的影响。 4、SPICE 中的二极管温度模型中,考虑了温度对() 、 ()和()的影响。 5、引起饱和区输出特性曲线向上倾斜的原因,对于BJT 而言是()效应,SPICE 中用模型参 数()来描述; 而对 MOSFET 则是()效应,SPICE 中用模型参数() 来描述。 6、门海的基本单元由()构成,宏单元采用()进行隔离。 7、 集成电路的版图设计中, 消除天线效应的方法是 () , () 和 () 。 8、SPICE 语句:M1 2 1 0 0 MOD L=5UW=20U M1 是指() ,节点1接的是() ,MOD 是() 。 9、在 PSPICE 中 Analysis 菜单的 Setup 对话框中,DC Sweep 意思是() ,Transient 功能是 () ,Parametric…的选择是进行() 。 得 分 二、简答下列问题: (共 20 分) 1、简单说明提取 MOS 晶体管沟道长度调制系数的方法。(4 分) 一二三四五六七八九十合计 第 1 页 共页 学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 2、解释下列 PSPICE 语句的内容。(4 分) C260ACAP20NFIC=1.5V 3、 大规模集成电路芯片成本由什么决定?根据芯片特性如何降低其成本? (4 分) 4、什么是小尺寸 MOSFET 的速度饱和效应?它对电路性能的影响是什么?(4 分) 5、MOS 晶体管 BSIM 模型中,是如何考虑寄生串联电阻的?(4 分) 得 分 三、画图:三、画图: ((2020 分)分) 1、 画出集成电路芯片薄层电阻的射频等效电路图。 2、画出标准单元法设计的集成电路版图示意图。 第 2 页 共页 学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 3、画出下图共栅门阵列六管单元所组成倒向器和二输入端或非门的内连图。 4、画出肖特基二极管和PN 结二极管电流电压特性曲线示意图。 . 5、画出如下电源波形,并标明数值和单位。 得 分 四、模型与参数四、模型与参数(15(15 分分) ) 下图为某 TVS(TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR)二极管或称瞬变电压抑制二极管的 I-V 特性曲 线,在-10V 至 10V 区域其特性等效于一个电阻,在电压大于10V 或小于-10V 的区域近似等效于一个理 想二极管,试用理想二极管、电阻、电压源构造其等效电路的宏模型并解释其直流参数,并写成SPICE 子电路语句形式。 第 3 页 共页 学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 得 分 五、解释以下分析设置的意义。五、解释以下分析设置的意义。(10(10 分分) ) 1、 2、 第 4 页 共页 学院姓名学号任课老师考场教室__________选课号/座位号 ………密………封………线………以………内………答………题………无………效…… 得 分 六、六、PSPICEPSPICE电路模拟(电路模拟(1010分)分) 1、写出模拟下图三点式振荡器的 SPICE 输入文件,其中晶体管模型参数取自库中,要求得到启振过程 的瞬态波形,并比较温度-40 度、27 度和+85 度的情况。 第 5 页 共页