集成电路版图基础知识练习

. 一、填空 1.ls(填写参数)命令用于显示隐藏文件。 〔-a〕 2.进入当前目录的父目录的命令为(%cd ) 3.查看当前工作目录的命令为：〔%pwd〕 4.目录/home/www/uuu 已建立，当前工作目录为 /home/www，采用绝对路径进入 /home/www/uuu 的命令为：〔%cd /home/www/uuu〕 5.假设对 letter 文件有操作权限，命令%chmod a+rw letter 会产生什么结果： 〔对所有 的用户增加读写权限。 〕 6.显示当前时间的命令为：〔%date〕 7.翻开系统管理窗口的命令为：〔%admintool〕 8.与 IP 地址为 166.111.4.80的主机建立 FTP 连接的命令为：〔〕 9.建立 FTP 连接后，接收单个文件的命令为：〔%get 〕 10. 建立 FTP 连接后，发送多个文件的命令为：〔%mput 〕 11. 有一种称为 0.13um 2P5M CMOS 单井工艺, 它的特征线宽为______，互连层共有 _____层，其电路类型为_______。0.13um7CMOS 12. 请根据实际的制造过程排列如下各选项的顺序： c.定义扩散区，生成源漏区 正确的顺序为：___ _________________。bdace 13. 集成电路中的电阻主要有__________, ____________, _____________三种。 井电阻， 扩散电阻，多晶电阻 14. 为方便幅员绘制，通常将Contact 独立做成一个单元，并以实例的方式调用。假设 该 Contact 单元称为 P 型 Contact，由 4 个层次构成，那么该四个层次分别为： _________，_________, _________, ___________.active, P+ diffusion, contact, metal. 15. CMOS工 艺 中 ， 之 所 以 要 将 衬 底 或 井 接 到 电 源 或 地 上 ， 是 因 为 ___________________________________。报证 PN 结反偏， 使 MOS 器件能够正常 工作。 16. 幅员验证主要包括三方面： ________，__________，__________; 完成该功能的 Cadence 工具主要有 〔列举出两个〕 ： _________， _________。 DRC, LVS, ERC, Diva, Dracula 17. 造成幅员不匹配的因数主要来自两个方面：一是制造工艺引起的，另一个是 __________; 后 者 又 可 以 进 一 步 细 分 为 两 个 方 面 ： _______________ ， _____________。片上环境波动，温度波动，电压波动。 18. DRC包括几种常见的类型， 如最大面积 〔Maximum Dimension〕 ， 最小延伸 〔Minimum Extension〕 ，此外还有_________，_________，_________。最小间距，最小宽度， 最小包围〔Minimum Enclosure〕 。 19. 减少天线效应的三种方法有：____________，____________，__________。插入二 极管，插入缓冲器，Jumper (或者，通过不同的金属层绕线)。 20. 由于 EDA 工具的不统一，出现了各种不同的文件格式，如LEF, DEF 等，业界公 认的 Tape out 的文件格式为 _______，它不可以通过文本编辑器查看，因为它是 ______〔文件类型〕 。GDSII， 流文件。 实用文档. . 21. “101 页报告〞，计算机的五大部件是：输入装置、_________、_________、 _________、输出装置。逻辑部件、运算部件、存储器 22. 流水线中可能存在三种冲突，它们是：_________、_________、_________，从而 造成流水线停顿，使流水线无法到达最高性能。资源冲突、数据冲突、控制冲突 Qn 1 J Qn KQn 23. 写出 JK 触发器的特性方程：__________________。 〔〕 24. 随着 1000M 网卡等高速设备的出现，传统的 PCI 总线无法满足 PC 系统的数据传 输需求， INTEL 于 2001 年提出了第三代局部总线技术_________。3GIO 或 PCIExpress 25. AMBA 是为了设计高性能的嵌入式微控制器系统而推出的片上通信标准，它包括 ASB、_________、_________等三套总线。AHB、APB 26. SoC 的设计基于 IP Core 的复用，IP Core 包括三种：_________、_________、 _________。软核、固核、硬核 27. RISC CPU 的三大特点是：_________、_________、_________。ALU 的数据源自 Register、只用 LD/ST 指令可以访问 MEMORY、指令定长 28. ARM 处理器包含两种指令集：_________、_________。Arm 指令、thumb 指令 29. MCS80C51 是 CISC CPU，属于哈佛结构，arm 属于_________CPU。RISC 30. Arm7TDMI 中，T 代表_________、D 代表_________、M 代表_________、I 代表 _________。Thumbm、debug、multiplier、ise 31. 固体分为 晶体 和 非晶体 两大类。 32. 半导体材料中锗和硅属于 金刚石 结构，砷化镓属于 闪锌矿 结构。 33. 施主杂质电离后成为不可移动的带正电的施主离子， 同时向导带提供电子， 使半导 体成为电子导电的 n 型半导体。 受主杂离后成为不可移动的带负电的受主离子， 同 时向价带提供空穴．使半导体成为空穴导电的p 型半导体。 34. 晶体中电子的能量状态是量子化的。电子在各状态上的分布遵守费米分布规律。 35. 电子在热运动时不断受到晶格振动和杂质的散射作用，因而不断地改变运动方向。 半导体中的主要散射机构是电离杂质散射和晶格振动散射。 36. pn 结有电容效应，分为势垒电容和扩散电容。 37. 在放大模式偏置下，双极型晶体管的EB 结 正向偏置，CB 结反向偏置。 38. CMOS 的英文全称是 Complementary Metal Oxide Semiconductor。 39. MOS 场效应晶体管分为四种根本类型：N 沟增强型、N 沟耗尽型、P 沟增强型、P 沟耗尽型。 40. 衬底偏置电压会影响 MOS 器件的阈值电压，反向偏置电压增大，那么MOS 器件 的阈值电压也随之增大，这种效应称为体效应。 41. 用 Cadence 软件设计集成电路幅员的输出数据的格式是〔GDSII 格式〕 。 42. 在 nwell 上画 pmos 器件时需要在 nwell 上加〔n+接触孔〕 ，并用金属线把这个〔n+ 接触孔〕与 nwell 内的〔最高〕电位相连接。 4