数字电子技术存储器与可编程逻辑器件习题及答案

第 8 章存储器与可编程逻辑器件存储器概述自测练习 1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。 2．（a）位（b）字节（c）字 3．指出下列存储器各有多少个基本存储单元多少存储单元多少字字长多少（a） 2K×8 位（）（）（）（）（b） 256×2 位（）（）（）（）（c） 1M×4 位（）（）（）（） 3． ROM 是（）存储器。（a）非易失性（b）易失性（c）读/写（d）以字节组织的 4．数据通过（）存储在存储器中。（a）读操作（b）启动操作（c）写操作（d）寻址操作 5．RAM 给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。（a）电源关闭（b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c） 6．具有 256 个地址的存储器有（）地址线。（a）２５６条（b）６条（c）8 条（d）16 条 7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。（a）２５６×１位（b）２５６×８位（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位答案： 1． a 2．（a） 2048×8；2048；2048；8 （b） 512；256；256；2 （c） 1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；4 3．a 4．c 5．d 6．c 7．b 随机存取存储器（RAM）自测练习自测练习 1. 动态存储器（DRAM）存储单元是利用（）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（）存储信息的。 2. 为了不丢失信息，DRAM 必须定期进行（）操作。 3. 半导体存储器按读、写功能可分成（）和（）两大类。 4. RAM 电路通常由（）、（）和（）三部分组成。 5. 6116RAM 有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位。答案： 1．栅极电容，触发器 2．刷新 3．只读存储器，读/写存储器 4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路 5．11，8，2K×8 位只读存储器（ROM）自测练习自测练习 1． ROM 可分为（）、（）、（）和（）几种类型。 2． ROM 只读存储器的电路结构中包含（）、（）和（）共三个组成部分。 3．若将存储器的地址输入作为（），将数据输出作为（），则存储器可实现组合逻辑电路的功能。 4．掩膜 ROM 可实现的逻辑函数表达式形式是（）。 5． 28256 型 EEPROM 有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为（）位，是以字节数据存储信息的。 6． EPROM 是利用（）擦除数据的，EEPROM 是利用（）擦除数据的。 7． PROM/EPROM/EEPROM 分别代表（）。 8．一个 PROM/EPROM 能写入（）（许多，一）次程序。 9．存储器 2732A 是一个（）（EPROM，RAM）。 10．在微机中，4 种存储类型为（）。答案： 1．ROM，PROM，EPROM，EEPROM 2．存储矩阵，地址译码，输出控制电路 3．输入，输出 4．标准与或形式（最小项表达式） 5．15，8，32K×8 6．紫外线，电 7．可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器 8．一次/许多 9．EPROM 10．寄存器，高速缓存，主存，外存快闪存储器（Flash Memory）自测练习自测练习 1．非易失性存储器有（）。 2．（a）ROM 和 RAM（b）ROM 和闪存（c）闪存和 RAM 3 3．．Flash Memory 的基本存储单元电路由（）构成，它是利用（）保存信息，具有（）性的特点。 4 4．．Flash Memory 28F256 有（）和（）两种操作方式。 5 5．．从功能上看，闪存是（）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（）存储器。 6． Flash28F256 有（）根地址线，（）根数据线，其存储容量为 7．（）位，编程操作是按字节编程的。答案： 1．b 2．一个浮栅 MOS 管，浮栅上的电荷，非易失 3．只读存储方式，读/写存储方式 4．RAM，ROM 5．15，8，32K×8 存储器的扩展自测练习自测练习 1．存储器的扩展有（）和（）两种方法。 2 2．．如果用 2K×16 位的存储器构成 16K×32 位的存储器，需要（）片。（a） 4（b） 8（c） 16 3．用 4 片 256×4 位的存储器可构成容量为（）位的存储器。 4．若将 4 片 6116 RAM 扩展成容量为 4K×16 位的存储器，需要（）根地址线。 5．（a） 10（b） 11（c） 12（d）13 6．将多片 1K×4 位的存储器扩展成 8K×4 位的存储器是进行（）扩展；若扩展成 1K×16 位的存储器是进行（）扩展。 7．2564的存储器有（）根数据线，（）根地址线，若该存储器的起始地址为００Ｈ，则最高地址为（），欲将该存储器扩展为1K 8的存储系统，需要2564的存储器（）个。答案： 1．字扩展，位扩展 2．C 3．256×16/1K×4 4．C 5．字，位 6．4，8，FF，8 可编程阵列逻辑可编程阵列逻辑 PALPAL 自测练习自测练习 1． PAL 的常用输出结构有（）、（）、（）和（）4 种。 2．字母 PAL 代表（）。 3． PAL 与 PROM、EPROM 之间的区别是（）。 4．（a）PAL 的与阵列可充分利用 5．（b）PAL 可实现组合和时序逻辑电路 6．（c）PROM 和 EPROM 可实现任何形式的组合逻辑电路 7．具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列的PLD 为（）。 8．（a）PROM（b）PLA（c）PAL 9．一个三态缓冲器的三种输出状态为（）。 10．（a）高电平、低电平、接地（b）高电平、低电平、高阻态 11．（c）高电平、低电平、中间状态 12．查阅资料，确定下面各 PAL 器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。 13．（a）PAL12H6（）（）（）（b）PAL20P8（）（）（）（c）PAL16L8（）（）（）答案： 1．输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构 2．可编程阵列逻辑 3．B 4．C 5．B 6．（a）12，6，高电平（b）20，8，可编程极性输出（c）16，8，低电平通用阵列逻辑 GAL 自测练习 1．GAL 具有（）（a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑（b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列（c）一次性可编程与或阵列（d）可编程的与或阵列 2．GAL16V8 具有（）种工作模式。 3．GAL16V8 在简单模式工作下有（）种不同的OLMC 配置；在寄存器模式工作下有（种不同的 OLMC 配置；在复杂模式工作下有（）种不同的 OLMC 配置。 4．GAL16V8 具有（）。（a）16 个专用输入和 8 个输出（b）8 个专用输入和 8 个输出（c）8 个专用输入和 8 个输入/输出（d）10 个专用输入和 8 个输出） 5．如果一个 GAL16V8 需要