半导体二极管三极管来料检验规程

电子元器件来料检验规程（一）电子元器件来料检验规程（一） 半导体晶体管部分半导体晶体管部分 1 1内容内容 本规程规定了本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验的抽样方式、接收标准、检验测试方法和所用测试仪器等具体要求。 2 2范围范围 本规程适用于本公司常用半导体二极管、三极管、达林顿晶体管、绝缘栅双极晶体管 （IGBT）来料检验和验收。 3 3引用标准引用标准 GB2828.1-2003计数抽样检验程序 第一部分：按接收质量限（AQL）检索的逐批检验 抽样计划 GB2421电工电子产品基本环境试验规程 总则 GB2423.22电工电子产品基本环境试验规程 试验 Cb：恒定湿热试验方法 GB2421电工电子产品基本环境试验规程 试验 N：温度变化试验方法 GB4798.1 ?电工电子产品应用环境条件 贮存 4 4检验测试设备和测试方法检验测试设备和测试方法 测试设备：DW4824 型晶体管特性图示仪（或QT2 型晶体管特性图示仪等） 测试大功率晶体管专用转接夹具、插座或装置 数字万用表、不锈钢镊子等应手工具 晶体管特性图示仪、数字万用必须经检定合格并且在计量检定的有效期内。 人员素质： 能熟练操作使用晶体管特性图示仪进行各种半导体器件参数测试， 工作态度 严谨、细心，持有检验测试操作合格证或许可证。 测试准备： 晶体管特性图示仪每次开启， 必须预热五分钟。 检查确认图示仪的技术状态完好方能进 行测试。 每种器件在测试前都要做外观检查：管脚应光洁、明亮，管身标志清晰、无划痕，封装 尺寸应符合订货要求。 4.14.1绝缘栅绝缘栅 N N 沟道双极晶体管沟道双极晶体管 IGBTIGBT 主要测试参数： IGBT 的特性曲线 IGBT 的饱和压降 VCES IGBT 的栅极阈值电压 VGE（th） IGBT 的击穿电压 VCER 测试方法： 现将上述特性参数的测试方法分述如下。 4.1.1测 IGBT 的输出特性曲线 按附表 1“常规测试/输出特性曲线”栏、测IGBT 的要求，调整晶体管特性图示仪各选 择开关的档位。正确连接相应的IGBT 测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测 的 IGBT，图示仪即显示一簇该 IGBT 的输出特性曲线。 该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图 1a 所示） 。否则为不合格（如图 1b所示） 。 图1 4.1.2测 IGBT 的饱和压降 VCES 在特性曲线中选择 VGE=4.5V 的一条曲线，它与 IC=7.0A 直线的交点所对应的 VC电压 值就是所测试的 IGBT 在 VGE=4.50V、IC=7.0A 时的饱和压降 VCES。 VCES＜3.0V 为合格。否则为不合格。 4.1.3测 IGBT 的转移特性曲线 按附表 1“常规测试/转移特性曲线”栏、 测 IGBT 的要求调整晶体管特性图示仪各选择 开关的档位。正确连接相应的IGBT 测试夹具、插座或装置，检查连接无误后，接入待测的 IGBT，图示仪即显示一簇该IGBT 的转移特性曲线。 该线簇应当是一组幅度由小到大的、等间距的竖直线段。这些线段的一端在 X 轴上， 另一端连接起来应当是一条平滑的曲线。 4.1.4测 IGBT 的栅极阈值电压 VGE（th） 观测特性曲线与 IC=1mA 直线的交点所对应的 VBE电压值， 就是该 IGBT 在该测试温度 下的栅极阈值电压 VGE（th）。此时 VBE=VGE（th）。 所测得的 VGE（th）在该 IGBT 的标称栅极阈值电压范围内为合格。否则为不合格。 4.1.5测 IGBT 的击穿电压 VCER 按附表 1“击穿电压测试”栏、测IGBT 的要求，调整晶体管特性图示仪各选择开关的 档位。接入待测的 IGBT 并使栅极悬空，使峰值电压由0V 缓慢增加，观测特性曲线的形状 及击穿点电压，此电压在该IGBT 的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。 注意：操作人员应避免直接接触高压电极，并且每测试完一只IGBT 的击穿电压，都要 将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。 4.24.2达林顿大功率达林顿大功率 NPNNPN 晶体管晶体管 主要测试参数： 达林顿晶体管的共射输出特性曲线 达林顿晶体管的饱和压降BVCES 达林顿晶体管的共射极电流放大系数β 达林顿晶体管的反向击穿电压BVCE0 测试方法： 现将上述特性参数的测试方法分述如下。 4.2.1测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线 按附表 1“常规测试/输出特性曲线”栏、测达林顿晶体管的要求， 调整晶体管特性图示 仪各选择开关的档位。正确连接相应的达林顿晶体管测试夹具、 插座或装置，检查连接无误 后，接入待测的 IGBT，图示仪即显示一簇该达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线。 该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图 2a 所示） 。否则为不合格（如图 2b所示） 。 图2 4.2.2测达林顿晶体管的饱和压降BVCES 观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线 IC=6A 的直线与饱和区某一特性曲线的交 点所对应的 VCE值，就是该测达林顿晶体管在基极注入电流足够大且集电极电流 IC=6A 时 的饱和压降 VCES。 观测到的VCES值在该达林顿晶体管的标称饱和压降范围内为合格，否则为不合格。 4.2.3测达林顿晶体管的共射极电流放大系数β 观测达林顿晶体管的共发射极输出特性曲线 IC=6A 的直线与放大区某一特性曲线的交 点所对应的 IB值，即可粗略地计算出在该工作点对应的共发射极电流放大系数β β=（1.01～1.20）IC/IB β值在该达林顿晶体管的标称电流放大系数范围内为合格，否则为不合格。 4.2.4测达林顿晶体管的反向击穿电压BVCE0 按附表 1“击穿电压测试”栏、测达林顿晶体管的要求，调整晶体管特性图示仪各 选择开关的档位。接入待测的达林顿晶体管并使基极悬空，使峰值电压由0V 缓慢增加，观 测特性曲线的形状及击穿点电压VCE，此电压即为达林顿晶体管基极开路时的击穿电压 BVCE0，BVCE0在该达林顿晶体管的标称击穿电压范围内为合格。否则为不合格。 注意： 操作人员应避免直接接触高压电极， 并且每测试完一只达林顿晶体管的反向击穿 电压，都要将“峰值电压调节”旋钮调节回0，以保障人员和设备安全。 4.34.3小功率晶体管小功率晶体管 主要测试参数： 小功率晶体管的共发射极输出特性曲线 小功率晶体管的饱和压降VCES 小功率晶体管的共射极电流放大系数β 小功率晶体管基极开路时的反向击穿电压BVCE0 小功率晶体管基极开路时的穿透电流ICE0 测试方法： 现将上述特性参数的测试方法分述如下。 4.3.1测小功率晶体管的共发射极输出特性曲线 按附表 1“常规测试/输出特性曲线”栏、测 NPN 晶体管的要求，调整晶体管特性 图示仪各选择开关的档位。正确连接相应的NPN 晶体管测试夹具、插座或装置，检查连接 无误后， 接入待测的小功率 NPN 晶体管， 图示仪即显示一簇该小功率NPN 晶体管的共发射 极输出特性曲线。 该线簇应均匀、平滑、无畸变，为合格（如图 3a 所示） 。否则为不合格（如图 3b所示） 。 PNP 晶体管 NP