资质认定证书附录

ISO/IEC 17025 认可证书CNAS-PD20/09-B/5 序 号 检测 对象 项目/参数 序号名称 检测标准（方法）名称 及编号（含年号） 8.计量 限制 范围 说明 1介质耐压≤5kV,1.5% 2绝缘电阻≤1×10 Ω ,0.6% 16 3 8.1电感 4 电感 GJB1864A—2011 射频 固定和可变片式电感 总规范 Q 值 1nH～10H,0.1% ≤1000,5% 5自谐振频率40Hz～3GHz,1% 6直流电阻 10mΩ ～100M Ω ,0.01% DC: 0.1 V～1kV 3 电阻: 1×10 16 Ω ～1.6×10Ω 精度为 0.6% GB/T2693—2001 电子 设备用固定电容器总 规范 第一部分：通用 技术指标 直流电压 V≤ 5000 V 1pF～10μ F 0.01% ≤0.1 -4 0.5×10 1μ A～100mA 1% 1绝缘电阻 2 8.2电容 3 4 5 耐电压 电容量 损耗角正切 和等效电阻 漏电流 No. CNAS L0357第 1 页 共 11 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. ISO/IEC 17025 认可证书CNAS-PD20/09-B/5 100mΩ ～100MΩ 0.1% 40Hz～3GHz -55℃～+150℃ 10mΩ ～100MΩ 0.01% 6阻抗 电容及自谐 振频率 电容温度特 性 直流电阻 7 8 1 8.3电阻 2 电阻温度特 性 电源电流ICC 输入失调电 压VIO 输入失调电 流IIO 输入偏置电 流IIB 开环电压增 益AVD 共模抑制比 K CMR 电源电压抑 制比KSVR 最大共模输 入电压VICM 输出电压峰 峰值VOPP GJB1432B—2009 片式 膜固定电阻器通用规 范 -55℃～+150℃ 10～100mA 20～100mV 30～100μ A 4 5 集成运算放 8.4 大器 6 7 8 0～100μ A 60dB～120dB GB/T17940-2000 半导体器件集成电路 第 3 部分： 模拟集成电 路 60dB～120dB 60dB～120dB 0～15V 90～40V 10 增益带宽积 G•BW 100kHz～100MHz 8.5 功率交流电 源 1 2 频率 功率 SJ 10542-94 抗干扰型交流稳压电 源测试方法 10Hz～1kHz ≤9000VA No. CNAS L0357第 2 页 共 11 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. ISO/IEC 17025 认可证书CNAS-PD20/09-B/5 3功率因数0.00～1.00 4负载调整率 防静电地面 系统电阻和 点对点电阻 防静电台垫 系统电阻和 点对点电阻 1mV～100mV 1 1×10 Ω ～1×10 Ω 59 2 1×10 Ω ～1×10 Ω 59 3 8.6防静电系统 防静电工作 腕带电阻 4 防静电椅系 统电阻和点 对点电阻 SJT 10694-2006 电子产品制造与应用 系统防静电检测通用 规范 穿戴状态下系统 5 电阻：7.5×10 7 Ω ～1×10 Ω 内表面对电缆扣 5 电阻：≤1×10 Ω 系统电阻： 1×10 9 Ω ～1×10 Ω 点 5 对点电阻： 1×10 Ω ～1×1010Ω 1×10 Ω ～1× 10 10 Ω 5 5 5 防静电工作 服电阻 6 防静电鞋电 阻 SJT 10694-2006 电子产品制造与应用 系统防静电检测通用 规范 GB/T5170.2-2008 电工电子产品环境试 验设备检验方法温度 试验设备 1×10 Ω ～1×10 Ω 59 8.7接地系统1接地电阻0.1Ω ～5Ω 8.8 环境试验设 备 1温度-80℃～200℃ No. CNAS L0357第 3 页 共 11 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. ISO/IEC 17025 认可证书CNAS-PD20/09-B/5 GB/T5170.5-2008 电工电子产品环境试 验设备检验方法湿热 试验设备 2湿度20%RH～95%RH 1 微波电子材 8.9 料 2 复介电常数 GB/T 7265.2-1987 固体电介质微波复介 电常数的测试方法 损耗 0～100(1GHz～ 18GHz) 5×10 ～6× -5 10 (1GHz～ 18GHz) -2 1击穿电压 VR30V～3kV 2 8.1 功率二极管 0 3 反向直流电 流IR 100nA～10mA GJB128A-97 半导体分立器件试验 方法 0.1V～30V 正向直流电 压VF 4工作电压VZ0.1V～30V I E=0 时的集 1电极基极击 穿电压V(BR)CBO 半导体分立器件和集 成电路 第 7 部分:双极型晶体 管 GB/T 4587-1994 30V～3kV 8.1 1 双极晶体管 30V～3kV I C=0 时的发 2射极基极击 穿电压V(BR)EBO No. CNAS L0357第 4 页 共 11 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. ISO/IEC 17025 认可证书CNAS-PD20/09-B/5 I B=0 时的集 3 电极发射极 击穿电压 30V～3kV V (BR)CEO I E=0 时的集 4 电极基极截 止电流ICBO 100nA～10mA I B=0 时的集 5电极发射极 截止电流ICEO 100nA~10mA I C=0 时的发 6射极基极截 止电流IEBO 100nA～10mA 7 共发射极正 向电流传输 比的静态值 hFE V CE:0.1V～+30 V I C: 10A～500A I B: 10µA～10A V CE: 0.1V～ 8 集电极发射 极饱和电压 V CEsat +30V； V BE: -30V～ +30V； I C: 10A～500A； I B: 10µA～10A 9 基极发射极 饱和电压 V BEsat V CE: 0.1V～ +30V；VBE: -30V～+30V； I C: 10A～500A； I B: 10µA～10A 可测双极型中小 功率晶体三极管 10开启时间ton No. CNAS L0357第 5 页 共 11 页 The scope of the accreditation in Chinese remains the definitive version. ISO/IEC 17025 认可证书CNAS-PD20/09-B/5 开关时间参数。 开关参数测量范 围:5ns～1µs 偏置电源: IB:1mA 、3mA、 10mA、 30mA、 50mA、 60mA IC:10mA、30mA、 100mA、