i界面的研究的开题报告

精品文档---下载后可任意编辑 微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的讨论的开题报告 题目：微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的讨论 选题的背景： 近年来，随着人们对环保能源的不断追求，太阳能电池作为一种最为直接、最为重要的化石能源替代品，备受瞩目。太阳电池的质量和效率直接关系到太阳能电池能否广泛应用，而薄膜太阳电池则是最为重要的一种太阳电池。在薄膜太阳电池中，微晶硅薄膜太阳电池被认为是较好的一种选择。而n/i界面是微晶硅薄膜太阳电池的精华所在，直接关系到薄膜太阳电池的效率。为了提高微晶硅薄膜太阳电池的效率，需要讨论n/i界面及其性质。 选题的目的和意义： 本讨论主要从n/i界面入手，探究微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的电学和光学性质，为薄膜太阳电池效率的提高提供理论指导。同时，本讨论可以从实际应用的角度，对微晶硅薄膜太阳电池的工业化应用提供支持。 选题的内容和讨论方法： 本讨论主要包括以下几个方面的内容： 1. 讨论n/i界面的电学性质，包括电势、电场、能带结构等等，尤其是讨论界面缺陷的形成、种类与密度。 2. 讨论n/i界面的光学性质，包括反射率、吸收系数、折射率、透过率等等，分析微晶硅薄膜太阳电池的光捕捉效应。 3. 基于电学和光学性质，探究微晶硅薄膜太阳电池n/i界面的影响因素，并提出优化方案，提高微晶硅薄膜太阳电池的效率。 本讨论将采纳第一性原理计算方法，结合实验数据进行分析。在实验方面，将通过采纳PECVD技术制备微晶硅薄膜太阳电池样品，进行效率测试；在计算方面，将采纳VASP软件，建立微晶硅薄膜太阳电池模型，并进行第一性原理计算。 参考文献： 1. 刘躲珂, 邱万春, 孙林宝, 江士煜, 周卫东. n/i 双夹杂结的微晶硅薄膜太阳电池. 物理学报, 2024, 51(12): 2938-2941. 2. Blaikie S R, Mottet C, Löfflath C, et al. A photoelectrochemical study of the silicon thin-film n/i interface. Journal of Applied Physics, 2024, 94(2): 1157–1163. 3. Piron R, Cabarrocas P R I, Löfflath C, et al. Correlation between the p/i and n/i interface properties and the cell perances of amorphous silicon solar cell. Journal of Applied Physics, 2024, 101(10): 104504.