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二阶电路的动态响应试验报告

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二阶电路的动态响应试验报告

二阶电路的动态响应实验报告二阶电路的动态响应实验报告 一、实验目的 1. 学习用实验的方法来研究二阶动态电路的响应。 2. 研究电路元件参数对二阶电路动态响应的影响。 3. 研究欠阻尼时,元件参数对α和固有频率的影响。 4. 研究 RLC 串联电路所对应的二阶微分方程的解与元件参数的关系。 二、实验原理 图图 1.11.1RLCRLC 串联二阶电路串联二阶电路 用二阶微分方程描述的动态电路称为二阶电路。 图 1.1 所示的线性 RLC 串联电路是一个 典型的二阶电路。可以用下述二阶线性常系数微分方程来描述 d 2uc du cLC RCu c  U s (1-1) 2dtdt 初始值为 uc0  U 0 t0 求解该微分方程,可以得到电容上的电压uct。 du c t dt  iL0  I 0  CC 再根据ict  c du c 可求得 ict,即回路电流 iLt。 dt 2 式(1-1)的特征方程为LCp  RCp 1 0 特征值为p1,2   RR1 2 2 2 0 1-2 2L2LLC 定义衰减系数(阻尼系数)  R 2L 1 LC 自由振荡角频率(固有频率) 0  由式 1-2 可知,RLC 串联电路的响应类型与元件参数有关。 1. 零输入响应 动态电路在没有外施激励时,由动态元件的初始储能引起的响应,称为零输入响应。 电路如图 1.2 所示,设电容已经充电,其电压为U0,电感的初始电流为 0。 图 1.2RLC 串联零输入电路 1R  2 L ,响应是非振荡性的,称为过阻尼情况。 C 电路响应为 U 0u C t P 2e Pt P 1e P t P 2  P 1 12 it  U 0ePteP t LP 2  P 1 12 图 1.3RLC 串联零输入瞬态分析 响应曲线如图 1.3 所示。可以看出uCt由两个单调下降的指数函数组成,为非振荡的 P 2ln P 1 过渡过程。整个放电过程中电流为正值, 且当t m  时,电流有极大值。 P 1  P 2 (2)R  2 L ,响应临界振荡,称为临界阻尼情况。 C 电路响应为 u c t U 0 1tet U it 0tet L 响应曲线如图 1.3 所示。 t≥0 3R  2 L ,响应是振荡性的,称为欠阻尼情况。 C 电路响应为 u C t  it   0U 0e tsin d t ,  d U 0 tesin d t  d L 2 2 t≥0 其中衰减振荡角频率  d  0  响应曲线如图 1.3 所示。 过阻尼 临界阻尼 欠阻尼   1 R   ,  arctand LC 2L  2 图 1.3 二阶电路零输入响应 (4)当 R=0时,响应是等幅振荡性的,称为无阻尼情况。 电路响应为 u C t U 0 cos 0t it  U 0sin 0t 0 L 响应曲线如图 1.6 所示。理想情况下,电压、电流是一组相位互差90 度的曲线,由于无 能耗,所以为等幅振荡。等幅振荡角频率即为自由振荡角频率0, 注在无源网络中,由于有导线、电感的直流电阻和电容器的介质损耗存在,R 不可能 为零,故实验中不可能出现等幅振荡。 2. 零状态响应 动态电路的初始储能为零,由外施激励引起的电路响应,称为零输入响应。 电路如图 1.4 所示,设电容已经放电,其电压为0V,电感的初始电流为 0。 图 1.4RLC 串联零状态电路 根据方程 1-1,电路零状态响应的表达式为 U S(p 2e p1t p 1e p2t) p 2  p 1 t  0 U Sit  ep1tep2t Lp 2  p 1 u C t U S  与零输入响应相类似,电压、电流的变化规律取决于电路结构、电路参数,可以分为过 阻尼、欠阻尼、临界阻尼等三种充电过程。 响应曲线如图 1.5 所示。 欠阻尼 临界阻尼 过阻尼 图 1.5 二阶电路零状态响应 3. 全响应 动态电路的初始储能不为零,和外施激励一起引起的电路响应,称为全响应。 电路如图 1.6 所示,设电容已经充电,其电压为5V,电压源电压 10V。 图 1.6RLC 串联全响应电路 响应曲线如图 1.7 所示。 欠阻尼 临界阻尼 过阻尼 图 1.7 二阶电路全响应 4.状态轨迹 对于图 1.1 所示电路,也可以用两个一阶方程的联立(即状态方程)来求解 ductiLt  dtC u tRi tUdiLt   C  L  s LLLdt 初始值为 uc0  U 0 iL0   I 0 其中,uc t 和iL t 为状态变量,对于所有 t≥0 的不同时刻,由状态变量在状态平面上所确 定的点的集合,就叫做状态轨迹。 三、实验设备与器件 1. 2. 3. 4. 低频信号发生器 交流毫伏表 双踪示波器 万用表 5.可变电阻 6.电阻、电感、电容 电阻 100Ω,电感 10mH, 电容 47nF,可变电阻(5kΩ) 。 四、实验内容(multisim 仿真) 1.按图 1.8 所示电路接线(R1100ΩL10mHC47nF) 信 号 发 生 器 L R 1 R 2 示波器 C 6.8 二阶电路实验接线图 图图1.8 二阶电路实验接线图 画出仿真图,如下,调节 R2 阻值,使电容两端电压分别出现欠阻尼、临界阻尼、过阻尼状 态。 仿真图 欠阻尼状态 临界阻尼状态 过阻尼状态 2.在电路板上按图 1.8 焊接实验电路。 实际测量值R197.8Ω,C142.2nF,(RL154.3Ω) 波形 震荡衰减角频率ωd 衰减系数α R 97.8 L 10m C 42.2n 震荡周期 Td第一波峰峰值 h1 150μs 理论值 46076.57 5200 2.2V 第二波峰峰值 h2 0.2V 测量值 41887.90 15985.96 六.实验结论分析与总结 在欠阻尼状态下. R 增大,ωd不变,α减小 L 增大,ωd减小,α减小 C 增大,ωd减小,α不变

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