AlN外延薄膜的MOCVD生长和高阻GaN中的深能级研究的开题报告

精品文档---下载后可任意编辑 AlN外延薄膜的MOCVD生长和高阻GaN中的深能级讨论的开题报告 标题AlN外延薄膜的MOCVD生长和高阻GaN中的深能级讨论的开题报告 背景介绍 随着半导体技术的不断进步和进展，AlN外延薄膜和高阻GaN在半导体器件和光电子领域中得到了广泛应用。AlN外延薄膜具有良好的热稳定性、电热导率和光学性能，可用于制备高功率电子器件、UV LED以及高温传感器等。而高阻GaN由于其在光电子器件中的应用，如GaN HEMT中的半绝缘层、GaN LED中的p型层等，近年来也备受关注。然而，这两种材料中存在的深能级缺陷问题制约了它们应用的进一步进展。 讨论目的 本讨论旨在探究AlN外延薄膜的MOCVD生长特性及其优化，以及高阻GaN中的深能级缺陷问题，为相关领域的应用提供支持和帮助。 讨论内容 1. AlN外延薄膜的MOCVD生长工艺优化探究； 2. 讨论不同生长条件下AlN外延薄膜的物理化学性质和表面形貌； 3. 对高阻GaN的深能级进行实验讨论； 4. 分析高阻GaN中深能级的形成机理。 讨论方法 1. 采纳MOCVD技术在不同生长条件下制备AlN外延薄膜，并通过多种技术手段对其进行表征和分析； 2. 利用自行搭建的光学测量系统和电学测试系统对高阻GaN中的深能级进行实验讨论； 3. 采纳第一性原理计算方法模拟高阻GaN中深能级的形成机理。 意义和价值 1. 通过讨论AlN外延薄膜的生长特性及其表面形貌，优化制备工艺，提高生长质量和产率； 2. 对高阻GaN中深能级进行实验讨论，有利于解决该材料中深能级缺陷问题，并为光电子器件的开发和应用提供技术支持； 3. 了解高阻GaN中深能级的形成机理，有助于优化材料制备的工艺流程。 预期成果和创新点 1. 确定AlN外延薄膜的最佳生长条件，提高生长质量和产率； 2. 揭示高阻GaN中深能级的本质和形成机理，为该材料的应用提供理论和实验上的支持； 3. 突破现有材料讨论的技术瓶颈，开发新型高性能材料。