600V超结VDMOS的dVdt可靠性研究与优化设计中期报告

精品文档---下载后可任意编辑 600V超结VDMOS的dVdt可靠性讨论与优化设计中期报告 中期报告 一、已完成工作总结 1.完成了对目前市场上主流的600V超结VDMOS器件（例如Infineon的CoolMOS和Fairchild的SuperFET）中的dVdt特性进行了深化的讨论，分析了其可靠性问题和缺陷。 2.分析了dVdt特性对600V超结VDMOS器件在开关过程中的影响，从而得出了提高dVdt可靠性的重要性，并对dVdt的测试方法进行了分析和对比讨论。 3.通过对已有的讨论成果的综述和对市场上常见的600V超结VDMOS器件的评估，找出了优化器件结构的途径，如优化栅极结构、提高耐受峰值电压等。 4.在设计过程中，采纳了ANSYS软件进行仿真分析，并与实际测试结果进行对比分析，验证了优化设计的可行性。 二、下一步工作计划 1.优化栅极结构，提高dVdt承受能力。 2.对耐受峰值电压的优化设计进行深化讨论。 3.细化器件表面结构，减少表面欧姆接触阻力。 4.继续对优化设计方案进行仿真分析和实际测试验证。 5.撰写论文并提交相关期刊。