经典电工学电子技术试题库

电工电子技术试题库电工电子技术试题库 一、单项选择题 1.硅稳压管的工作状态是D A.正向导通 C.反向截止 B.正向击穿 D.反向击穿 2.要得到 N 型杂质半导体，应在本征半导体硅或锗中掺入少量的（ C ） A.三价元素 C.五价元素 B.四价元素 D.六价元素 3．下列关于 P 型半导体中载流子的描述，正确的是C A．仅自由电子是载流子 C．自由电子和空穴都是载流子 B．仅空穴是载流子 D．三价杂质离子也是载流子 4．理想运算放大器的两个基本特点是C A．虚地与虚断 C．虚短与虚断 B．虚短与虚地 D．断路与短路 5．在本征半导体中加入少量的五价元素后，可形成（B） A．P 型半导体，其少子为自由电子B．N 型半导体，其多子为自由电子 C．P 型半导体，其少子为空穴D．N 型半导体，其多子为空穴 6．理想二极管构成的电路如题 2 图所示，则输出电压 UO为（B） A．3V B．10V C．-3V D．-10V 7．关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（B） A．基区很薄 C．发射区掺杂浓度最高 B．基区掺杂浓度最高 D．发射结的结面积小于集电结的结面积 8．测得某放大电路中的三极管，各管脚电位如题 4 图所示，则可判定该管为 （D） A．锗管①为 b 极 B．硅管③为 c 极 C．锗管②为 e 极 D．硅管③为 b 极 9．放大电路如题 7 图所示，该电路引入了交直流（B） A．电流并联负反馈 B．电流串联负反馈 C．电压并联负反馈 D．电压串联负反馈 10.理想二极管构成的电路如题 2 图所示，则输出电压 U0为BR C.6V D.10V 型三极管处在放大状态时，各电极的电位关系是D 极电位最高，C 极电位最低 极电位最高，B 极电位最低 极电位最高，B 极电位最低 极电位最高，E 极电位最低 12.若要求放大电路输入电阻高，且稳定输出电压，在放大电路中应引入的负反 馈组态为C A.电流串联 C.电压串联 B.电流并联 D.电压并联 13.要降低放大电路输入电阻，可引入D A.电压负反馈 C.串联负反馈 B.电流负反馈 D.并联负反馈 14.共射极放大电路直流负载线由C A.电流放大系数 β 确定 C.集电极电阻 Rc 与电源 Ucc 确定 15.函数Y ABC等价于B ABC ABC B.Y  A B C D.Y ABC B.基极电阻 Rb 与电源 Ucc 确定 D.负载电阻 RL 确定 16.下列与 FABC 相等的逻辑函数为C ABC ABC ABC ABC 17．下列逻辑式中，正确的逻辑公式是D A．AA  A C．AA  A B．AA 1 D．AA  0 18.逻辑表达式AB与下列式子中的哪一个相等 D A.A  B C.AB B.A  B D.A  B 19．逻辑符号如下图所示，其中表示“与非”门的是C 20．在以下输入情况中，“或非”运算的结果为逻辑 1 的是A A．全部输入为 0 C．任一输入是 0，其它输入为 1 B．全部输入为 1 D．任一输入是 1，其它输入为 0 21．主从型 JK 触发器，当 JK0 时，则 CP 脉冲来到后 JK 触发器的次状态 Qn1为C A．0 C．Qn B．1 D．Qn 22．题 l2 图为同步 RS 触发器，已知 SDRDl。在 CP1 期间，当 S1，R0 时，触发器输出状态 Qn1为（A） A．1 B．0 C．Qn D．不定 23.由主从 JK 触发器构成的电路如题 15 图所示，可知该电路实现的功能为 A A.保持 B.置 0 C.置 1 D.计数 24.把 JK 触发器的 J 与 K 都接到高电平上，则其特性方程变为B 1Qn 11 lQn 10 25.在 CP 有效的情况下，当输入端 D0 时，则 D 触发器的输出端 Qn1A D.Qn 1 1、、集成运算放大器的共模抑制比越大，表示该组件C。 a差模信号放大倍数越大 b带负载能力越强 c抑制零点漂移的能力越强 2 2、、电路如图所示为B。 a反相式电压源b同相式电压源c电流源 3 3、、由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关A、B分别有如图所示为“0”和“ 1”两个状态，则电灯HL亮的逻辑式为c。 aF＝AB＋ABbF＝AB＋ABcF＝AB＋AB 4 4、、电路如图所示，当RF减小时，放大电路的（b）。 a频带变宽，稳定性降低b频带变宽，稳定性提高 c频带变窄，稳定性降低d频带变窄，稳定性提高 5 5、、整流电路如图所示，直流电压表 V（内阻设为无穷大）的读数均为 90V，二 极管承受的最高反向电压为 141V 的电路是下列图中（c）。 6 6、、某数/模转换器的输入为 8 位二进制数字信号（D7D0），输出为 0的模 拟电压。若数字信号的最低位是“1”其余各位是“0”，则输出的模拟电压为 a。 ab c 7 7、、电路如图 1 所示，二极管 D 为理想元件，U 3V,u i6sin tV，则输出电压 uO的波形为图 2 中（B）。 8 8、、逻辑电路如图所示，输入为X，Y，同它功能相同的是（b）。 a可控 RS 触发器bJK 触发器c基本 RS 触发器dT 触发器 9、 电路如图所示，该电路的名称是（ c）。 a 单 相 桥 式 整 流 电 路 b 单 相 全 波 整 流 电 路 c 单 相 半 波 整 流 电 路 10、由开关组成的逻辑电路如图所示，设开关接通为“ 1”， 断开为“0”， 电 灯亮为“1”， 电灯暗为“0”， 则该电路为 b。 a“ 与” 门b“ 或” 门c “ 非” 门 11、 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管 子应为c 。 a正、反向电阻相等 b正向电阻大 ，反向电阻小 c反向电阻比正向电阻大很多倍 d正、反向电阻都等于无穷大 12、运算放大器电路如图所示，RF1 和 RF2 均为反馈电阻，其反馈极性为 D 。 a RF1 引入的为正反馈，RF2 引入的为负反馈 b RF1 和 RF2 引入的均为负反馈 c RF1 和 RF2 引入的均为正反馈 d RF1 引入的为负反馈，RF2 引入的为正反馈 13、电路如图所示，已知UCC＝12V，RC＝3k ，β＝40 且忽略 UBE,若要使静 态时 UCE＝9V，则 RB 应取（c）。 a 600 kb 240 kc 480 kd 360 k 二、填空题。二、填空题。 1.在 P 型半导体中，____自由电子___是少数载流子。 2.半导体二极管的最大反向电流 IRM越大，说明管子的_____单向导电____性能越 差。 型晶体三极管，发射结正向偏置时，应是基极电位比发射极电位___高______。 4．晶体二极管的主要特性是正偏导通，反偏____截止____。 5．若测得某双极型晶体管基极电流 IB10μA