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半导体存储器分类

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半导体存储器分类

半导体存储器 一.存储器简介)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。在数字系Memory存储器(一个没有实物统中,只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路中,等;在系统中,具有实RAM、FIFO形式的具有存储功能的电路也叫存储器,如卡等。计算机中全部信息,包括物形式的存储设备也叫存储器,如内存条、TF 输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。现代计算机的内存储器多采用半导存储器件是计算机系统的重要组成部分,)计算机系统中的记忆设备,用来存放程序和数据。体存储器。存储器(Memory中间运行结果和最终包括输入的原始数据、计算机程序、计算机中的全部信息,自世界运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。从一开始的上第一台计算机问世以来,计算机的存储器件也在不断的发展更新,汞延迟线,磁带,磁鼓,磁芯,到现在的半导体存储器,磁盘,光盘,纳米存储 等,无不体现着科学技术的快速发展。并能在计算机运行过程中高速、 数据,存储器的主要功能是存储程序和各种功能的设备,它采用具有两记忆”自动地完成程序或数据的存取。存储器是具有“在计算机中采用种稳定状态的物理器件来存储信息。这些器件也称为记忆元件。的二进制来表示数据。记忆元件的两种稳定状态分别表示“1”数码“0”和只有两个才能存入存储器中。二进制数。日常使用的十进制数必须转换成等值的和为“0”“1”例如英文字母、运算符号等,也要转换成二进制代码计算机中处理的各种字符,才能存储和操作。 储器的存储介质,存储元,它可存储一个二进制代码。由若干个存储元组成一个存储单元,然后再由许多存储单元组成一个存储器。一个存储器包含许多存储单元,每个存储单元可存放一个字节(按字节编址)。每个存储单元的位置都有一个编号,即地址,一般用十六进制表示。一个存储器中所有存储单元可存放数据的总和称为它的存储容量。假设一个存储器的地址码由20位二进制数(即5位十六进制数)组成,则可表示2的20次方,即1M个存储单元地址。每个 。1MB存储单元存放一个字节,则该存储器的存储容量为 二.半导体存储器是一种以半导体电路作为存储媒体的semi-conductor memory半导体存储器。由于对运行速度的要求,现代计算机的内存储器多采用半导体存储器。存储器半导体存储器包括只读就是由称为存储器芯片的半导体集成电路组成。内存储器 )两大类。)和随机读写存储器(RAM存储器(ROM 只读存储器2.1 所存数据,ROM)。ROM只读存储器(英语Read-Only Memory,简称而不像随机存储器那一般是装入整机前事先写好的,整机工作过程中只能读出,断电后所存数据也不会改所存数据稳定 ,样能快速地、方便地加以改写。ROM变;其结构较简单,读出较方便,因而常用于存储各种固定程序和数据。除少数的不同用户所需只读存储器品种的只读存储器(如字符发生器)可以通用之外,、PROM)内容不同。为便于使用和大批量生产,进一步发展了可编程只读存储器( )。)和带电可擦可编程只读存储器(EEPROM可擦可编程序只读存储器(EPROM事先制作一颗有原ROMMASK 掩模型只读存储器是制造商为了要大量生产,这一种做 ROM,或EPROM当作样本,然后再大量生产与样本一样的始数据的ROM中的资料永远无法做MASK ROM,而MASK ROM烧录在为大量生产的ROM样本就是 修改。掩模制作技术是半导体工艺技术中制作光刻工艺用的光复印掩蔽模版的技术,亦称制版技术。半导体集成电路制作过程通常需要经过多次光刻工艺,在半导体晶体表面的介质层上开凿各种掺杂窗口、电极接触孔或在导电光掩模制作技术大体上可分为传统的刻图缩微制版层上刻蚀金属互连图形。技术系统、计算机辅助设计、光学图形发生器自动制版技术系统和以电子束扫描成像为代表的各种短波长射线成像曝光技术系统。 可编程只读存储器(英文Programmable ROM,简称PROM)一般可编程一次。PROM存储器出厂时各个存储单元皆为1,或皆为0。用户使用时,再使用编程的方法使PROM存储所需要的数据。PROM需要用电和光照的方法来编写与存放的程序和信息。但仅仅只能编写一次,第一次写入的信息就被永久性地保存起来。PROM的典型产品是“双极性熔丝结构”,如果我们想改写某些单元,则可以给这些单元通以足够大的电流,并维持一定的时间,原先的熔丝“肖为使用PROM另外一类经典的这样就达到了改写某些位的效果。即可熔断, ,出厂时,其中的二极管处于反向截止状态,还是用大PROM特基二极管”的电流的方法将反相电压加在“肖特基二极管”,造成其永久性击穿即可。可编程工作原理和使年由周文俊所发明的。只读存储器是在1956PROM的总体结构、器件出厂时在存储矩阵的每个交用方法都与掩膜ROM相同。不同的是PROM 叉点上均设置了二极管,并且有快速熔断丝与二极管串连。发明,Dov Frohman可擦可编程序只读存储器(EPROM)由以色列工程师是一种断电后仍能保留数据的计算机储存芯片即非易失性的(非挥发性)。被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分它是一组浮栅晶体管,只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部EPROM别编程。一旦编程完成后,这个窗口同时用来进行紫外线擦,能看见硅片的透明窗口,很容易识别EPROM 的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。除。可以将EPROMEEPROM Electrically Erasable Programmable 电可擦可编程只读存储器可以在电 EEPROM ,是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。Read-Only Memory是用EEPROM脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用。。(重写)户可更改的只读存储器,其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程。EEPROMBIOS ROM芯片大部分都采用由EPROM操作的不便,后来出的主板上的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而EEPROM为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,在写入数据时,Byte且是以只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易此时,仍要利用一定的编程电压, 举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。闪速存储器(英文Flash memory)是英特尔公司90年代中期发明的一种高密度、非易失性的读/写半导体存储器它既有EEPROM的特点,又有RAM的特点,因而是一种全新的存储结构。闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意NOR Flash 为字节存储),区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,闪存与EEPROM不同的是,EEPROM能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,而闪存的大部分芯片需要块擦除。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。NOR型闪存更像内存,有独立的地址线和数据线,但价格比较贵,容量比较

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