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电子技术基础试题及答案

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电子技术基础试题及答案

. 电子技术基础试卷 一、填空题(20 分) 1、______电路和_______电路是两种最基本的线性应用电路。 2、晶体二极管具有_______特性。 3、放大电路的分析方法有______和小信号模型分析法。 4、BJT 的主要参数是__________。 5、带宽和________是放大电路的重要指标之一。 6、处理模拟信号的电子电路称为_______。 7、把整个电路中的元器件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电 子电路称为_____电路。 8、在电子电路中反馈按极性不同可分为______和_______两种。 9、判断一个放大电路中是否存在反馈,只要看该电路的输出回路与 输入回路之间是否存在反馈网络,即________。 10、负反馈放大电路有四种类型___________、 ___________、 ___________以及___________放大电路。 11、放大电路的实质都是_______电路。 12、 放大电路可分为四种类型 _______、 _______、 _______和_______。 二、判断题(15 题每题 2 分,615 题每题 1 分,共 20 分) 1、图示中R 2引人电压并联负反 . . 图题 1 2、图示中R e1电流串联正反馈 图题 2 3、图示电路不能振荡 . . 图题 3 4、图示电路不能振荡 图题 4 5、图示电路中 T 1 为共基极组态,T 2 为共集电极组态 图题 5 6、PN 结的单向导电性关键在于它的耗尽区的存在,且其宽度随外加 . . 电压而变化。 7、齐纳二极管是一种特殊二极管。 8、BJT 有 NPN 和 PNP 两种类型。 9、图解法能分析信号幅值太小或工作频率较高湿的电路工作状态。 10、MOS 器件主要用于制成集成电路。 11、差分放大电路中共模电压增益越小,说明放大电路的性能越好。 12、 放大电路中的内部噪声与放大电路中个元器件内部载流子运动的 不规则无关。 13、放大电路中直流反馈不影响静态工作点。 14、 负反馈能够改善放大电路的多方面性能是由于将电路的输出量引 回到输入端与输入量进行比较,从而随时对输出量进行调整。 15、在实际应用的放大电路中很少引人负反馈。 三、计算题(1 题 12 分,2 题 13 分,3 题 15 分,共 40 分) 1、设计一反相加法器,使其输出电压 V 0 -7Vi114Vi23.5Vi310Vi4) , 允许使用的最大电阻为 280kΩ,求各支路电阻。 2、某反馈放大电路的方框图如图所示,试推导其闭环增益x o/xi 的表 达式。 . . 3、 在图所示电路中, 已知R b260kΩ, ReRL5.1kΩ, RS500kΩ, VEE12V, β50,试求 (1)电路的 Q 点; (2)电压增益 A v、输入电阻 Ri 及输 出电阻 R o; (3)若 Vs200mV,求 Vo。 四、综合题(20 分) 1、射极偏置电路如图所示,已知60。 (1)用估算法求 Q 点; (2) 求输入电阻 r be; (3)用小信号模型分析法求电压增益Av ; (4)电路 其他参数不变,如果要使 V CEQ 4V,问上偏流电阻为多大 . . 电子技术基础(答案) 一、填空题 1、同相放大、反向放大 2、单向导电 3、图解法 4、电流放大系数 5、频率响应 6、模拟电路 7、集成 8、正反馈、负反馈 9、反馈通路 10、 电压串联负反馈、电压并联负反馈、电流串连负反馈、电流并 . . 联负反馈 11、 能量转换 12、 电压放大、电流放大、互阻放大、互导放大 二、判断题 1、√ 2、 (R e1电流串联负反馈) 3、(能振荡) 4、√ 5、(T 1 为共集电极组态,T 2 为共基极组态) 6、√ 7、√ 8、√ 9、 (不能) 10、√ 11、√ 12、 13、 14、√ 15、 . . 三、计算题 1、解设反相加法器各支路的电阻为R 1、R2、R3、R4,反馈支路电阻 为 R 5,由 V0 -7Vi114Vi23.5Vi310Vi4)可得 R 5 R 5 R 5 R 5 V 0-( Vi1 V i2 V i3 V i4)R 1 R 2 R 3 R 4 最大电阻应为 R 5,故选 R5280kΩ,所以各支路电阻分别为 R 5 280kΩ R 1 40 kΩ 77 R 5 280kΩ R 2 20 kΩ 1414 2、解设该放大电路的开环增益为 A A 则 A f x o A x i 1 AF 1 x o xxA 2 o1oA1 x id1 x id1 x o1 1 A 2 F 2 A 1 A 2 1 A 2 F 2 A 1 A 2 A 1 A 2 1 A 1A2F1  A 2F21F 1 1 A 2 F 2 3、 (1)求 Q 点 V PE I BQ≈ ≈23μA R b1βRe I CQβIBQ1.15mA V CEQ-VEE-ICQRe≈-6.13V 2求 A V、Ri、Ro . . r berbb(‘ 1β) A V 26mV ≈1.35 kΩ I EQ 1R e || R L ≈0.99 r be 1R e || R L R iRb||[rbe(1β) (Re||RL)] ≈87.3 KΩ R ORC|| (3)V S200mV 时 V 0 A vVi A S R iVS≈197mV R s  R i r be  R b || R s≈36 KΩ 1 四、综合题 1、 (1)估算法求 Q 点 20103 V BQ 16V4V 3 206010  I CQ I EQ V BQ V BEQ R e I CQ 1.65mA I V BQ   28 CEQ V ’ CC -I CQ R c  R e  7.75V 26mV 1.2k I EQ (2)取r bb 200,r berbb 1 ‘ (3)A V - R L r be -100,其中 R L R C ||R L 36 k 3 6 (4)当V CEQ 4V 时 . . I CQ  V CC V CEQ R c  R e  2.4m V BQ V EQ V BEQ  I CQ R e V BEQ  5.5V 上偏流电阻 R b1  V CCVBQ V BQ R b2  38.2k .

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