模拟电路考试题及答案【精】

. 自测题一 一、判断题 1．因为 P 型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。 （ F ） 2．在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为 P 型半导体。 （ T ） 3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。 （ F ） 二、单选题 1．半导体中的少数载流子产生的原因是（ D ） 。 A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发 2． 用万用表测二极管的正、 反向电阻来判断二极管的好坏， 好的管子应为 （ C ） 。 A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小 C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大 3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（ B ） 。X 轴为电压 A．右移B．左移C．上移D．下移 4． 当外加偏置电压不变时， 若工作温度升高， 二极管的正向导通电流将 （ A ） 。 A．增大B．减小C．不变D．不确定 5．三极管β值是反映（ B ）能力的参数。 （三极管可改为电流控制电流源） A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制 电压 . 6 6．温度升高时，三极管的值将（ A ） 。 A．增大B．减少C．不变D．不能确 定 7．下列选项中，不属三极管的参数是（ B ） 。 A．电流放大系数B．最大整流电流 C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率 8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为 U 1  6V，U 2  5.4V， U 3 12V，则对应该管的管脚排列依次是（ B ） 。 A．e, b, cB．b, e, cC．b, c, eD．c, b, e 9．晶体三极管的反向电流是由（ B ）运动形成的。 A．多数载流子B．少数载流子 C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同 10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是 6V、12V 和 6.7V，则此三 极管是（ D ） 。 （发正偏集反偏） A．PNP 型硅管B．PNP 型锗管C．NPN 型锗管D．NPN 型硅管 1111．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（ B ） 。 A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区 12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g 与源极 s 之间电压为零时（ B ） 。 A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道 C．漏极电流不为零D．漏极电压为零 三、填空题 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于 掺杂浓度 。 2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为 漂移 。 3．PN 结正偏导通，反偏截止，称为PN 结的 单向导电性 性能。 4．PN 结加正向电压时，空间电荷区将变窄。 5．PN 结正向偏置时，PN 结的内电场被 削弱 。 6．三极管最重要的特性是 电流放大作用。 7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将 增大 。 8．场效应晶体管属于 电压 控制器件。 9．场效应管的最大优点是 输入电阻高 。 1010．U GS  0时，不能工作在恒流区的场效应管有 增强型 MOS 管 。 11．开启电压U GS th  0的是 N 沟道增强型场效应管。 12．开启电压U GS th  0的是 P 沟道增强型 场效应管。4 自测题二 一、判断题 1．晶体管的输入电阻r be 是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。 （ F ） 2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。 （ T ） . . 3．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。 （ F ） 4 4．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。 （ F ） 5．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。 （ F ） 二、单选题 1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（ C ） 。 A．增大B．减少C．不变D．不能确 定 2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（ C ） 。 A．增大B．减少C．不变D．不能确 定 3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（ C ） 。 A．共射放大电路B．共基放大电路 C．共集放大电路D．不能确定 4．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（ B ） 。 A．共射放大电路B．共基放大电路 C．共集放大电路D．不能确定 5．在单管固定偏置共射极放大电路中， 若测得三极管的静态管压降UCE近似等 于电源电压 UCC时（无电流），则该管工作状态为（ B ） 。 A．饱和B．截止C．放大D．不能确定 6．晶体管能够放大的外部条件是（ B ） 。 A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏 . C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏 7．组合放大电路的输出级采用射极输出（共集）方式是为了使（ D ） 。 A．电压放大倍数高B．输出电流小 C．输出电阻增大D．带负载能力强 8．放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是（ A ） 。 A． 耦合电容和旁路电容的影响B． 晶体管极间电容和分布电容的影响 C．晶体管的非线性特性D．放大电路的静态工作点设置不合 适 9．当我们将两个带宽均为BW 的放大器级联后，级联放大器的带宽（ A ） 。 A．小于 BWB．等于 BWC．大于 BWD．不能确定 10．射极输出器的特点是（ A ） 。 A．输入电阻高、输出电阻低B．输入电阻高、输出电阻高 C．输入电阻低、输出电阻低D．输入电阻低、输出电阻高 11．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用， 应选（ A ） 。 A．共射组态B．共基组态C．共集组态D．共漏组态 12．在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平 的失真，这种失真是（ B ） 。 A．截止失真B．饱和失真C．交越失真D．频率失真 13．当信号频率等于放大电路的f L 和f H 时，放大倍数的数值将下降到中频时 的（ B ） 。P55 ） . A．0.5 倍B．0.7 倍C．0.9 倍D．1.2 倍 14．在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（ B ） 。 A．共发射极电路的Au最大、r i 最小、r o 最小 B．共集电极电路的Au最小、r i 最大、r o 最小 C．共基极电路的Au最小、r i 最小、r o 最大 D．共发射极电路的Au最小、r i 最大、r o 最大 15．已知某基本共射放大电路的 I CQ 1mA，U CEQ  6V，管子的饱和压降 U CES 1V，R C  R L  4k， 则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为 （ B ） 。 A．1VB．2VC．5VD．6V 三、填空题 1．要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的静态工作点。 2．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生饱和失真。 3．若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生截止失真。 4．基本共射放大电路，当温度升高时，Q 点将向 上 移。 5．若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于饱和状态。 6．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位 相同。（共射相反） 7．放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越 强 。 8．在放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电