模拟电路基础复习资料

模拟电路基础复习资料模拟电路基础复习资料 一、填空题一、填空题 1 1．在．在 P P 型半导体中，多数载流子是（空隙）型半导体中，多数载流子是（空隙） ，而少数载流子是（自由，而少数载流子是（自由 电子）电子） 。。 2 2．在．在N N 型半导体中，多数载流子是（电子）型半导体中，多数载流子是（电子） ，而少数载流子是（空隙），而少数载流子是（空隙） 。。 3 3．．当当 PNPN 结反向偏置时，结反向偏置时，电源的正极应接电源的正极应接（（N N））区，区，电源的负极应接电源的负极应接（（P P）） 区。区。 4 4．．当当 PNPN 结正向偏置时，结正向偏置时，电源的正极应接电源的正极应接（（P P））区，区，电源的负极应接电源的负极应接（（N N）） 区。区。 4.14.1、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体，当掺入、完全纯净的具有晶体结构完整的半导体称为本征半导体，当掺入 价微量元素便形成价微量元素便形成 N N 型半导体，型半导体，其电子为多数载流子，其电子为多数载流子，空穴为少数载流空穴为少数载流 二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，二极管的正向电流是由多数载流子的扩散运动形成的，而反向电流则而反向电流则 是由少子的漂移运动形成的。是由少子的漂移运动形成的。 4.34.3、二极管有一个、二极管有一个 PNPN 结，它具有单向导电性，它的主要特性有结，它具有单向导电性，它的主要特性有掺 掺杂 杂 。。当掺入三价微量元素便形成当掺入三价微量元素便形成 P P 型半导体型半导体， ，其空穴为多子 其空穴为多子 ，而，而电子为少子 电子为少子 。。 .2.2、、 、、热敏性、热敏性、光敏性光敏性。 。可作开关、 可作开关、整流、整流、限幅等用途限幅等用途 。。硅二极管的死区电压 硅二极管的死区电压 降约为降约为 0.2V0.2V。。 5 5、三极管具有三个区放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有、三极管具有三个区放大区、截止区、饱和区，所以三极管工作有 状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。状态，作开关用时，应工作在截止、饱和状态。 5.15.1、三极管具有二个结即发射结和集电结。饱和时两个结都应正、三极管具有二个结即发射结和集电结。饱和时两个结都应正 - -来源网络，仅供个人学习参考来源网络，仅供个人学习参考 约为约为 0.5V0.5V，导通压降约为，导通压降约为 0.7V0.7V， ，锗二极管的死区电压约为 锗二极管的死区电压约为 0.1V0.1V、导通压、导通压 种状态工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大种状态工作状态、饱和状态、截止状态，作放大用时，应工作在放大 ；截止时两个结都应反偏。放大时发射结应（正向）偏置，集电结；截止时两个结都应反偏。放大时发射结应（正向）偏置，集电结 应（反向）偏置。应（反向）偏置。 5.25.2、三极管放大电路主要有三种组态，分别是共基极电路、共集电、三极管放大电路主要有三种组态，分别是共基极电路、共集电 电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。电路、共发射极电路。共射放大电路无电压放大作用，但可放大电流。 阻比共射接法低阻比共射接法低. . 5.35.3、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器、共射电极放大电路又称射极输出器或电压跟随器, ,其主要特点是其主要特点是 电压放大倍数小于近似于电压放大倍数小于近似于 1 1、输入电阻很大、输出电阻很小。、输入电阻很大、输出电阻很小。 5.45.4 单管共射放大电路中，单管共射放大电路中，1.1.交直流并存，交直流并存，2.2.有电压放大作用，有电压放大作用，3.3.有倒有倒 相作用。相作用。 5.55.5 微变等效电路法适用条件微变等效电路法适用条件微小交流工作信号、微小交流工作信号、三极管工作在线性三极管工作在线性 区。区。 5.65.6 图解法优点图解法优点1.1.即能分析静态即能分析静态, ,也能分析动态工作情况；也能分析动态工作情况；2.2.直观形直观形 基极放大电路具有电压放大作用，基极放大电路具有电压放大作用，没有倒相作用。没有倒相作用。且共基接法的输入电且共基接法的输入电 象；象；3.3.适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点适合分析工作在大信号状态下的放大电路。缺点1.1.特性曲线存在特性曲线存在 5.75.7 微变等效电路法优点微变等效电路法优点1.1.简单方便；简单方便；2.2.适用于分析任何基本工作在适用于分析任何基本工作在 线性范围的简单或复杂的电路。线性范围的简单或复杂的电路。 缺点缺点1.1.只能解决交流分量的计算问题；只能解决交流分量的计算问题；2.2.不能分析非线性失真；不能分析非线性失真；3.3.不不 能分析最大输出幅度。能分析最大输出幅度。 6 6．根据理论分析，．根据理论分析，PNPN 结的伏安特性为结的伏安特性为 I I  I I 饱和）饱和） 电流，在室温下电流，在室温下 U U 约等于（约等于（26mV26mV）） 。。 T T 差；差；2.2.作图麻烦作图麻烦, ,易带来误差；易带来误差；3.3.无法分析复杂电路和高频小工作信号。无法分析复杂电路和高频小工作信号。 S S e e U U U UT T1, ,其中 其中 I S 被称为（反向被称为（反向 7 7．．BJTBJT 管的集电极、基极和发射极分别与管的集电极、基极和发射极分别与 JFETJFET 的三个电极（漏极）的三个电极（漏极） 、、 - -来源网络，仅供个人学习参考来源网络，仅供个人学习参考 （栅极）和（源极）与之对应。（栅极）和（源极）与之对应。 7.1.7.1.场效应管是电压控制元件，场效应管是电压控制元件，三极管是电流控制元件。三极管是电流控制元件。场效应管输入场效应管输入 阻非常高，三极管输入电阻较小。场效应管噪声小，受外界温度及辐射阻非常高，三极管输入电阻较小。场效应管噪声小，受外界温度及辐射 存放时存放时, ,栅极与源极应短接在一起。焊接时栅极与源极应短接在一起。焊接时, ,烙铁外壳应接地。烙铁外壳应接地。 7.27.2 共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。共漏极放大电路又称源极输出器或源极跟随器。 影响小影响小, ,存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单存在零温度系数工作点。场效应管的制造工艺简单, ,便于集成。便于集成。 7.37.3 多级放大电路的耦合方式阻容耦合，优点多级放大电路的耦合方式阻容耦合，优点 各级各级Q Q点相互独立点相互独立, ,便便 于分析、设计和调试。缺点于分析、设计和调试。缺点 不易放大低频信号无法集成。直接耦合，优不易放大低频信号无法集成。直接耦合，优 可放大交流和直流信号可放大交流和直流信号; ;便于集成。便于集成。 缺点缺点 各级各级Q Q点相互影响点相互影响; ;零点漂移零点漂移 缺点不能放大直流及缓慢变化信号；笨重；不易集成。缺点不能放大直流及缓慢变化信号；笨重；不易集成。 形产生的失真，称为幅频失真。形产生的失真，称为幅频失真。 严重。严重。变压器耦合，变压器