集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉-征求

ICS 31.030 CCS L90 中中 华华 人人 民民 共共 和和 国国 国国 家家 标标 准准 GB/T XXXXXXXXX 集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉 The specifications of low radioactive spherical silica powder for integrated circuit packaging （征求意见稿） XXXX - XX - XX 发布XXXX - XX - XX 实施 国 家 市 场 监 督 管 理 总 局国 家 市 场 监 督 管 理 总 局 国 家 标 准 化 管 理 委 员 会国 家 标 准 化 管 理 委 员 会 发发 布布 GB/T XXXXX202X I 前言 本文件按照 GB/T 1.12020标准化工作导则 第 1 部分标准化文件的结构和起草规则的规定 起草。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出并归口。 本文件起草单位江苏联瑞新材料股份有限公司、联瑞新材连云港有限公司、国家硅材料深加工 产品质量监督检验中心等。 本文件主要起草人。 GB/T XXXXX202X 1 集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉 1 范围 本文件规定了集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉的术语和定义、分类与标记、要求、试验方 法、检验规则及标志、包装、运输、贮存及质量证明书。 本文件适用于集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。 其中， 注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 191 包装储运图示标志 GB/T 6284 化工产品中水分测定的通用方法 干燥减量法 GB/T 6908 锅炉用水和冷却水分析方法 电导率的测定 GB/T 9724 化学试剂 pH值测定通则 GB/T 11446.7 电子级水中痕量阴离子的离子色谱测试方法 GB/T 13390 金属粉末比表面积的测定.氮吸附法 GB/T 14506.30 硅酸盐岩石化学分析方法 第30部分44个元素量测定 GB/T 14640 工业循环冷却水和锅炉用水中钾、钠含量的测定 GB/T 15344 滑石物理检验方法 GB/T 19077 粒度分析 激光衍射法 GB/T 32661 球形二氧化硅微粉 GB/T 36655 电子封装用球形二氧化硅微粉中α态晶体二氧化硅含量的测试方法 XRD法 GB/T 37406 电子封装用球形二氧化硅微粉球形度的检测方法 颗粒动态光电投影法 GB/T 39486 化学试剂 电感耦合等离子体质谱分析方法通则 SJ/T 3228.3 电子产品用高纯石英砂 第3部分_灼烧失量的测定 SJ/T 3228.4 电子产品用高纯石英砂 第4部分_二氧化硅的测定 SN/T 0483 进出口石英石砂化学分析方法 3 术语和定义 下列术语、定义和符号适用于本文件。 3.1 低放射性球形二氧化硅微粉 The specifications of low radioactive spherical silica powder 采用火焰法熔融法、高温熔融喷射法、高温氧化法、等离子体法或液相合成法等制备，放射性含量 低的球形二氧化硅微粉。 3.2 球形度 degree of sphericity GB/T XXXXX202X 2 单个粒子平面投影图像接近标准圆形的程度。 [ GB/T 37406，定义3.1 ] 3.3 平均球形度 average degree of sphericity 所有颗粒球形度的平均值，反映所有颗粒接近球形的程度。 [ GB/T 37406，定义3.2] 3.4 中位粒径 median diameter 累计粒度分布百分数达到50时所对应的粒径。写作D50,单位为微米μm. [ GB/T 32661，定义3.1 ] 3.5 大颗粒切断点 （首选Top cut）/（可选Cut point/Top cut size） 表示对粉体大颗粒粒径尺寸的控制值。单位为微米μm。 4 分类与标记 4.1 产品分类 4.1.1 按中位粒径D50范围具体细分为2050μm，1020μm，110μm，＜1μm。 4.1.2 按大颗粒切断点分类为75μm cut，55μm cut，45μm cut，32μm cut，25μm cut，20μm cut，10μm cut， 5μm cut，3μm cut，1μm cut，0.5μm cut等。 4.2 标记 Q□□□L□□ 切断点 L代表低放射性 中位粒径D50 Q代表球形氧化硅 标记示例 D50为5.0μm，大颗粒切断点为45μm，低放射性球形二氧化硅微粉，标记为Q050L45。 5 要求 5.1 产品外观 白色粉末，无结团。 5.2 理化性能 5.2.1 大颗粒切断点以上颗粒含量应符合表1的规定。 表 1 低放射性球形二氧化硅微粉大颗粒切断点以上颗粒含量 GB/T XXXXX202X 3 D50大颗粒切断点，μm 20≤D50≤5075554532///// 10≤D50＜207555453220//// 1≤D50＜1075554532201053/ ＜1////2010531 大颗粒切断点以上颗 粒含量 ≤500μg/g≤5 个/1000 个 *有约定时，大颗粒切断点按供需双方协商确定。 5.2.2 产品的主要理化性能指标应符合表2的规定。 表 2 集成电路封装用低放射性球形氧化硅微粉主要性能指标 性能名称单位 中位粒径，D50 20≤D50≤5010≤D50＜201≤D50＜10＜1 中位粒径μmD502.0D502.0D501.0D500.2 铀U含量μg/kg≤1.0≤1.5 钍（Th）含量μg/kg≤10.0 比表面积 m 2/ g 0.2602100 平均球形度 ≥0.93≥0.94≥0.95≥0.98 含水量 ≤0.05≤0.05≤0.10≤0.10 灼烧失量 ≤0.15≤0.15≤0.15≤0.20 真密度 10 3kg/m3 2.200.102.200.102.200.102.150.10 化学成分 电导率 μS/cm≤5≤15 pH 5747 Na μg/g≤5.0≤5.0 Cl - μg/g≤5.0≤5.0 NO3 - μg/g≤7.0≤10.0 SO4 2- μg/g≤7.0≤10.0 PO4 - μg/g≤7.0≤10.0 SiO2≥99.7≥99.8 Al2O3μg/g≤1000≤1000 Fe2O3μg/g≤100≤300 结晶 SiO2≤2≤2 磁性异物个数 2045μm个≤30 45100μm个≤30 100μm个≤1 磁性异物含量μg/g≤2 GB/T XXXXX202X 4 6 试验方法 6.1 外观检测 目视检查。 6.2 中位粒径 按 GB/T 19077的规定执行。 6.3 切断点以上