SJ_T 11818.3-2022 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范

ICS 31.260 CCS L 53 中 华 人 民 共 和 国 电 子 行 业 标 准 SJ/T 11818.32022 半导体紫外发射二极管第3部分器件规范 Semiconductor ultraviolet-emitting diodesPart 3Specification for Devices 2 0 2 2 - 1 0 - 2 0 发 布 2023-01-01实施 中华人民共和国工业和信息化部 发布 SJ/T 11818.32022 目 次 前言 III 引言 IVI 1 范 围 1 2 规范性引用文件 1 I SJ/T 11818.32022 前 言 本文件按照GB/T 1.12020标准化工作导则第1部分标准化文件的结构和起草规则的规 定起草。 本文件为SJ/T 11818半导体紫外发射二极管的第3部分。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。 本文件由中国电子标准化研究院CESI提出并归口。 本文件起草单位鸿利智汇集团股份有限公司、广州市鸿利秉一光电科技有限公司、中国电子技术 宗涛。 II SJ/T 11818.32022 引 言 SJ/T 11818半导体紫外发射二极管系列标准拟由三个部分构成 第1部分测试方法； 第2部分芯片规范； 第3部分器件规范。 IV SJ/T 11818.32022 半导体紫外发射二极管第3部分器件规范 1 范 围 本文件规定了半导体紫外发射二极管以下简称器件的术语和定义、分类、技术要求、检验方法、 检验规则，以及标志、包装、运输和储存要求。 本文件适用于峰值波长范围在200 nm～400 nm器件的制造和使用，峰值波长400 nm～420 nm的 器件可参照执行。 2 规范性引用文件 下 列文件中 的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。基中，注日期的 引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 包括所有的修改单适用于本 文件。 GB /T 19 -20 08 包装借运图宗标志 GB/T 2423 k-2008 电 工电子产品环境试 验 第 2 部 分 试验方法 试 验 低温 GB/T 2423.2-2008 电 工电子产品环境试 验 第 2 部 分 试验方 法 试 验B 高 温 GB/T|24232016 电 工电子产品环境试验第2部分试验方 法 试 恒 定湿 热 试 验 GB/I22352019 电工 电子产品环境试验 第 2 部 分试验方 法 试 验Ea 和 导则冲 击 GB/I 2423.1b-2008 电工电子产品环境试验_ 第2部分试验方法试验Fe 振动正弦 GB/2023.2-2012 环境试验第2部分试验 方 法 验N 温 度 变 化 GB/20S 23-2013环境试验第2部分试验方法 验 Q 密 封 GB/I 2423.28-2016 电上电子产品环境试验第2部分，式验方法试验上锡焊 GB/T 242351-2012 环境试验 一 第2部分试 验 方 法 试 验Ke 流动混合气体腐蚀试验 GB/T 2828 2 012 计数抽样检验程序第1部分按接收质量限AQL 检索的逐批检验抽样计划 GB/T 2000.52004 电工术语照明 GB 31026-993 光及有关电磁辐射的量和单位 GB/T 45891- 2006 半 导 体 器 件 第 1 0 部 分分立器件和集成电路总规范 GB/T 4937.1- 2018 半 导 体器件机械和气候试验方法第21部分 可 焊性 GB/T 15651995,米导体器件分立器件和集成电路 第5部分光电子器件 GB/T 370312018 半导体照明术语 SJ/T 113942009 半导体发光拿极管测试方法 SJ/T 11818.12022 半导体紫外发射二极管 第 1 部 分测试方法 3 术语和定义 GB/T 2900.652004 、GB 3102.61993 、GB/T 156511995 、GB/T 37031-2018界定的以及下 列术语和定义适用于本文件。 注为了便于使用，以下重复列出了GB/T 2900.652004 、GB/T 15651-1995中的某些术语和定义。 3.1 紫外辐射 ultraviolet radiation 波长小于可见辐射波长的光学辐射。 按照紫外辐射波长，通常分为以下三类 aUV-A315 nmλ≤400 nm; bUV-B280 nmλ≤315 nm; cUV-C200 nmλ≤280 nm。 1 SJ/T 11818.32022 [来源GB/T 2900.652004,845-01-05,有修改] 3.2 紫外发射二极管 ultraviolet-emitting diode UV LED 在一定电流激励下，可发射紫外光的半导体二极管。 3.3 辐射通量 radiant flux 辐射功率 radiant power φe;P 以辐射的形式发射、传输或接收的功率。 注单位为瓦 W。 [来源GB/T 2900.652004,845-01-24] 3.4 辐射强度 radiant intensity Ie 离开辐射光源的、在包含给定方向的立体角元dΩ 内传播的辐射通量dφ。除以该立体角元。简称辐 强度。 注单位为瓦每球面度W/sr。 [GB/T 2900.652004,845-01-30] 3.5 辐射效率 radiant efficiency ne 辐射源发出的辐射通量与其消耗的功率之比。 [来源GB/T 2900.652004,845-01-54] 3.6 峰值发射波长 peak-emission wavelength λ 辐射功率最大值所对应的波