4-5 电光调制器特性的测试

电光调制器特性的测试 【摘要】激光是传递信息的一种很志向的光源。电光效应在工程技术和科学探讨中有很多重要应用，它有很短的响应时间（可以跟上1010HZ的电场变更），可以在高速摄影中作快门或在光速测量中作光束斩波器等。本文主要探讨对电光调制器的特性的测试和探讨的试验，并对相关的试验现象和数据进行总结。 【关键词】电光调制器，双折射 1 引言 在激光出现以后，电光效应的探讨和应用得到快速的发展，电光器件被广泛应用在激光通讯，激光测距，激光显示和光学数据处理等方面。 要用激光作为信息的载体，就必需解决如何将信息加到激光上去的问题。例如激光电话，就须要将语言信息加在与激光，由激光“携带”信息通过肯定的传输通道送到接收器，再由光接收器鉴别并还原成原来的信息。这种将信息加在与激光的过程称之为调制，到达目的地后，经光电转换从中分别出原信号的过程称之为解调。其中激光称为载波，起限制作用的信号称之为调制信号。与无线电波相像的特性，激光调制按性质分，可以采纳连续的调幅、调频、调相以及脉冲调制等形式。但常采纳强度调制。强度调制是依据光载波电场振幅的平方比例于调制信号，使输出的激光辐射强度依据调制信号的规律变更。激光之所以常采纳强度调制形式，主要是因为光接收器（探测器）一般都是干脆地响应其所接收的光强度变更的原因。 2 试验目的 1. 驾驭晶体电光调制的原理和试验方法 2. 学会利用试验装置测量晶体的半波电压，计算晶体的电光系数 3. 视察晶体电光效应引起的晶体会聚偏振光的干涉现象 3 试验原理 某些晶体（固体或液体）在外加电场中，随着电场强度 的变更，晶体的折射率会发生变更，这种现象称为电光效应。通常将电场引起的折射率的变更用下式表示 1 式中a和b为常数， 为E00时的折射率。由一次项aE0引起折射率变更的效应，称为一次电光效应，也称线性电光效应或普克尔电光效应（pokells）；由二次项引起折射率变更的效应，称为二次电光效应，也称平方电光效应或克尔效应（kerr）。由（1）式可知，一次电光效应只存在于不具有对称中心的晶体中，二次电光效应则可能存在于任何物质中，一次效应要比二次效应显著。 光在各向异性晶体中传播时，因光的传播方向不同或者是电矢量的振动方向不同，光的折射率也不同。通常用折射率椭球来描述折射率与光的传播方向、振动方向的关系，在主轴坐标中，折射率椭球方程为 （2） 图 1 晶体折射率椭球 式中 ， n1,n2，n3 为椭球三个主轴方向上的折射率，称为主折射率。如图一所示， 从折射率椭球的坐标原点 动身，向随意方向作始终线 ，令其代表光波的传播方向 。然后，通过 垂直 作椭圆球的中心截面，该截面是一个椭圆，其长短半轴的长度 和 分别等于波法线沿 ，电位移矢量振动方向分别与 和 平行的两个线偏振光的折射率 和 。明显 , ， 三者相互垂直，假如光波的传播方向 平行于 轴，则两个线偏光波的折射率等于 和 。 同样当 平行于 轴和 轴时，相应的光波折射率亦可知。 当晶体上加上电场后，折射率椭球的形态、大小、方位都发生变更，椭球的方程变为 3 只考虑一次电光效应，上式与式（2）相应项的系数之差和电场强度的一次方成正比。由于晶体的各向异性，电场在 、 y、z各个方向上的重量对椭球方程的各个系数的影响是不同的，我们用下列形式表示 4 上式是晶体一次电光效应的普遍表达式，式中 叫做电光系数 i1,2,6;j1,2,3，共有18个，EX、EY、EZ是电场E在 x、y 、z方向上的重量。式（4）可写成矩阵形式 （5） 电光效应依据施加的电场方向与通光方向相对关系，可分为纵向电光效应和横向电光效应。利用纵向电光效应的调制，叫做纵向电光调制；利用横向电光效应的调制，叫做横向电光调制。晶体的一次电光效应分为纵向电光效应和横向电光效应两种。把加在晶体上的电场方向与光在晶体中的传播方向平行时产生的电光效应，称为纵向电光效应，通常以 类型晶体为代表。加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向垂直时产生的电光效应，称为横向电光效应 ，以KDP 晶体为代表。 这次试验中，我们只做 晶体的横向电光强度调制试验。 晶体属于三角晶系,3m晶类，主轴Z方向有一个三次旋转轴，光轴与Z轴重合,是单轴晶体,折射率椭球是旋转椭球，其表达式为 6 式中 和 分别为晶体的寻常光和非寻常光的折射率。加上电场后折射率椭球发生畸变，对于3m类晶体，由于晶体的对称性，电光系数矩阵形式为 7 当X轴方向加电场，光沿Z轴方向传播时，晶体由单轴晶体变为双轴晶体，垂直于光轴Z方向折射率椭球截面由圆变为椭圆，此椭圆方程为 8 进行主轴变换后得到 9 考虑到 1，经化简得到 10 当 X 轴方向加电场时，新折射率椭球绕 Z 轴转动 45。 图三为典型的利用 晶体横向电光效应原理的激光强度调制器。 图 2 电光调制器 其中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的X轴，检偏器的偏振方向平行于Y轴。因此入射光经起偏器后变为振动方向平行于X轴的线偏振光，它在晶体的感应轴和轴上的投影的振幅和位相均相等，设分别为 11 或用复振幅的表示方法，将位于晶体表面（z0）的光波表示为 12 所以,入射光的强度是 13 当光通过长为l的电光晶体后， X′和Y′两重量之间就产生位相差δ，即 14 通过检偏器出射的光，是这两重量在Y轴上的投影之和 15 其对应的输出光强，可写成 16 由（13）、（1